胡正明教授是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者,如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在台湾长大,后来考入加州大学伯克利分校。
在华为海思麒麟950的发布会上,胡正明教授曾现身VCR,据他介绍,FinFET的两个突破,一是把晶体做薄后解决了漏电问题,二是向上发展,晶片内构从水平变成垂直。
胡认为,FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制,这项技术现在仍看不到极限。
2010年后,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。
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