英特尔 3D NAND Flash 产能再扩张！

　　SSD等应用提升下，Nand Flash需求正快速成长，各家内存厂无不积极扩产，以扩展自身在NAND Flash的市占，半导体巨擘英特尔在2015年10月同样看好NAND Flash发展，宣布与大连市政府合作，将原本生产处理器芯片的厂房转型生产3D-NAND Flash芯片，而现在厂房改置完毕，在25日正式宣告投产。

　　据中国官方媒体中新社旗下网站中国新闻网报导，英特尔投资55亿美元转型建造的大连NAND Flash厂房已完工，并于25日正式投产。报导指称，位于辽宁省大连市金普新区的该厂区，为全球首座以12寸（300mm）晶圆生产NAND Flash的制造中心，目前有逾千名英特尔员工与数千名设备项目建设正加紧工作，以期早日量产。

　　报导同时指出，为实现高端人才本地化，约300多位工程师已前往美国、新加坡等国家培训，未来以承接先前外籍专家在该厂相关技术与管理的职务。据先前调研机构集邦科技旗下内存DRAMeXchange预估，英特尔大连厂转型后，初期3D-NAND Flash月产能约3~4万片。

　　英特尔大连12寸厂于2010年完工，原先规划以生产65纳米制程CPU，但在绩效不佳外，英特尔于去年10月20日与大连市政府签署协定，投资55亿美元，转型生产3D-NAND Flash，以期搭上中国消费电子产品蓬勃、内存需求大量成长的列车。

　　而想搭上3D NAND Flash这波需求列车的也不少，继三星之后，各家3D-NAND Flash产品也陆续量产、拓张产能，英特尔除了大连厂，与美光共同投资的新加坡IM Flash厂也在今年1月投入3D-NAND Flash的生产。

　　此外，15日东芝在日本四日市的半导体新厂Fab 2举行开幕仪式，厂房同样运用于2D Nand Flah到3D-NAND Flah制程的转换，估计到今年第四季3D NAND月产能约4万片。SK海力士于韩国清州市所兴建的M14厂在2015年年中落成后，宣告再加码15.5万亿韩元（约911亿人民币），规划于十年内投资三座半导体厂房，暗示加大对3D-NAND Flash的生产。

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