台积电7纳米晶圆制程进度飞快，继先前传出要在2018年第一季放量生产7纳米芯片，比英特尔（Intel Corp.）足足快3年之后，最新消息显示，台积电内部预估，7纳米最快明（2017）年4月就可开始接受客户下单。
WCCFtech 25日报导，台积电研发单位已在内部会议中，揭露未来几年的最新研发蓝图，根据几名资深高层的说法，该公司今年底就会转换至10纳米，7纳米则会在明年试产，估计明年4月就可接单，而16纳米FinFET compact制程（FFC，比16FF+更精密）也将在今年导入。7纳米制程可大幅提升省电效能（时脉约3.8Ghz、核心电压（vcore）达1V），临界电压（threshold voltage）最低可达0.4V，适用温度约为150度。
报导称，跟16FF+相较，10纳米FinFET制程可让芯片尺寸缩小50%、运算效能拉高50%、耗电量降低40%。相较之下，7纳米（采的应该是FinFET制程）的运算效能只能拉高15%、耗电量降低35%，电晶体密度增加163%，改善幅度远不如10纳米。这是因为，台积电的10纳米FinFET制程大约等同英特尔的14纳米，7纳米制程则大致跟英特尔的10纳米相当、甚至较逊。
AMD早已暗示会从16纳米制程直接跳至7纳米，但晶圆代工合作伙伴格罗方德（GlobalFoundries）的7纳米却要等到2018年才会试产，比台积电晚了近一年之久。AMD早已修改了协议，合作伙伴不再仅限于格罗方德，假如台积电的制程远优，那么AMD完全有可能倒戈投向台积电的怀抱。
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